Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

28 493,00 kr

(exkl. moms)

35 616,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +28,493 kr28 493,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
258-3795
Tillv. art.nr:
IPB100N12S305ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

120V

Serie

iPB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Maximal drain-källresistans Rds

4.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

300W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

139nC

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-T effekttransistor är ett N-kanals normalt nivåförbättringsläge. Den har en drifttemperatur på 175 °C.

AEC-godkänd

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.