Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, TO-263, HEXFET

RS-artikelnummer:: 257-9436
Tillv. art.nr:: IRFS4620TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, TO-263, HEXFET

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

169,23 kr

(exkl. moms)

211,54 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 330 enhet(er) från den 02 november 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 +	33,846 kr	169,23 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 257-9436
Tillv. art.nr:: IRFS4620TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	24A
	Maximal källspänning för dränering Vds	200V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds	77.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	25nC
	Maximal effektförlust Pd	144W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A
	Maximal källspänning för dränering Vds 200V
	Kapseltyp TO-263
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Maximal drain-källresistans Rds 77.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC
	Maximal effektförlust Pd 144W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IRFS4620TRLPBF

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 200 V maximal drain-source-spänning, 24 A maximal kontinuerlig drain-ström - IRFS4620TRLPBF

Denna MOSFET är en N-kanals effekttransistor med förstärkningsläge som är utformad för högspänningsomkopplings- och effektomvandlingsuppgifter. Den levereras i en TO-263-kapsel som är lämplig för kortmonterade strömförsörjningsenheter och fungerar över ett utökat temperaturområde för krävande miljöer. Enheten har en egen kroppsdiod med en specificerad framåtvänd spänning och är RoHS-kompatibel.

Funktioner och fördelar:

• 200 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 24 A kontinuerlig ström stöder betydande belastningshantering
• 77.5 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• 144 W effektförlust möjliggör ökad termisk belastning
• 25 nC typisk grindladdning ger förutsägbara drivkrav

Användningsområden

• Lämpligt för högspännings-DC-DC-omvandlarsteg
• Idealisk för switchade strömförsörjningsutgångsswitchar
• Används med motorstyrningar i strömförsörjningsenheter
• Kan användas för lastomkoppling i industriell elektronik
• Lämplig för strömhantering i andra system än fordonsindustrin

Vilka överväganden om grinddrivning bör jag planera för?

Förvänta en typisk total grindladdning på 25 nC vid VGS

välj en drivare som kan generera och sänka tillräckligt med ström för att uppnå önskad omkopplingshastighet.

Hur påverkar termisk kapacitet kretskortsdesignen?

Med en maximal effektförlust på 144 W säkerställer tillräcklig kopparyta eller kylelement och termiska vägar för att hantera värmeöverföring från koppling till omgivning.

Vilka är gränserna för styr- och signalspänningar?

Grinden kan drivas upp till 20 V i förhållande till källan

gate-source-exkurser bör inte överstiga detta värde.

Vilket temperaturområde kan den tolerera i drift?

Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C för tillämpningar med brett temperaturområde.

Vilka diodegenskaper är viktiga för omvänd ledningsförmåga?

Den inneboende dioden har en framåtvänd spänning på 1,3 V som påverkar ledningsförluster under omvänd ström.