Infineon N Kanal, MOSFET, -5.1 A -30 V, 6 Ben, PQFN, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
257-9392
Tillv. art.nr:
IRFHS9351TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-5.1A

Maximal källspänning för dränering Vds

-30V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

PQFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

290mΩ

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

1.4W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.9nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

2mm

Längd

2mm

Höjd

0.9mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons IRFHS-serie är en -30 V dubbel p-kanal med stark IRFET-effektmosfet i en PQFN 2x2-kapsel. Den kraftfulla IRFET-familjen är optimerad för lågt RDS (on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, inverterare och likströmsomvandlare.

Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners

Produktkvalificering enligt JEDEC-standard

Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard

Låg RDS (på) i en liten kapsel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.