Infineon N Kanal, MOSFET, 3.6 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

19 140,00 kr

(exkl. moms)

23 924,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +4,785 kr19 140,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
262-6732
Tillv. art.nr:
IRF7451TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

90mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

28nC

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

1.75mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons effekt-MOSFET har låg gate-to-drain-laddning för att minska omkopplingsförluster. Den är lämplig för användning med högfrekventa DC-DC-omvandlare.

Helt karakteriserad avalanche-spänning och -ström

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.