Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 3.4 A 20 V, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-5826
- Tillv. art.nr:
- IRLHS6276TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
49,28 kr
(exkl. moms)
61,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 570 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 4,928 kr | 49,28 kr |
| 100 - 240 | 4,693 kr | 46,93 kr |
| 250 - 490 | 4,189 kr | 41,89 kr |
| 500 - 990 | 2,968 kr | 29,68 kr |
| 1000 + | 2,419 kr | 24,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-5826
- Tillv. art.nr:
- IRLHS6276TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 9.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 9.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface-mount power package
Low RDS(on) in a small package
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 3.4 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 3.6 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 22 A 20 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 21 A 30 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 117 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 259 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 159 A 40 V HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 3.2 A 100 V HEXFET
