Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-0268
- Tillv. art.nr:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
106,40 kr
(exkl. moms)
133,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 050 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 53,20 kr | 106,40 kr |
| 20 - 48 | 50,01 kr | 100,02 kr |
| 50 - 98 | 45,135 kr | 90,27 kr |
| 100 - 198 | 42,615 kr | 85,23 kr |
| 200 + | 39,93 kr | 79,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0268
- Tillv. art.nr:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Kapseltyp | PowerPAK 10 x 12 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.16Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 114W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Längd | 6.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie E | ||
Kapseltyp PowerPAK 10 x 12 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.16Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximal effektförlust Pd 114W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Längd 6.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain-source-spänning, 19 A kontinuerlig drain-ström – SIHK185N60E-T1-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för ytmonteringstillämpningar i krävande elektroniska system. Den fungerar som en N-kanalutarmningsenhet och är konstruerad för att fungera i ett brett omgivningsområde, vilket gör den lämplig för industri- och fordonssammanhang där robust omkoppling vid förhöjda spänningar krävs.
Funktioner och fördelar:
• 650 V avtappningskapacitet möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 19 A stöder betydande belastningsströmmar
• 0.16 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 114 W effektförlust möjliggör hantering av hög effekt i kompakta layouter
• 33 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar energibudgeting för omkoppling
• ±20 V gränstolerans bevarar grindens integritet under kontrolltransienter
• Kontinuerlig dräneringsström på 19 A stöder betydande belastningsströmmar
• 0.16 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• 114 W effektförlust möjliggör hantering av hög effekt i kompakta layouter
• 33 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar energibudgeting för omkoppling
• ±20 V gränstolerans bevarar grindens integritet under kontrolltransienter
Användningsområden
• Lämplig för högeffektsomvandlingsfaser
• Idealisk för elektroniska styrmoduler för fordon som kräver komponenter av fordonskvalitet
• Används för front-end-switching av motordrivningar i industriell utrustning
• Kan användas för switchade nätaggregat i offline-omvandlare
• Användbar i strömhanteringskretsar med krävande ytmonteringslösningar
• Idealisk för elektroniska styrmoduler för fordon som kräver komponenter av fordonskvalitet
• Används för front-end-switching av motordrivningar i industriell utrustning
• Kan användas för switchade nätaggregat i offline-omvandlare
• Användbar i strömhanteringskretsar med krävande ytmonteringslösningar
Vilka termiska extremer tål den under utplaceringen?
Den är specificerad för drift ned till -55 °C och upp till +150 °C, och klarar svåra omgivnings- och kopplingstemperaturer.
Hur är den förpackad för montering på kretskort?
Den levereras i ett PowerPAK 10x12-paket för ytmontering med åtta stift för att underlätta kretskortsmontering med låg induktans.
Uppfyller den kvalificeringskriterierna för fordonsindustrin?
Enheten överensstämmer med AEC-Q101 fordonsstandard, vilket indikerar lämplighet för fordonselektroniksystem.
Vilken kanal och vilket ledningsläge använder den?
Transistorn använder en N-typ-kanal och arbetar i utarmningsläge för sitt omkopplingsbeteende.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 21 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 32 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK, E
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 33 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101