Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 239-8632
- Tillv. art.nr:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
66,53 kr
(exkl. moms)
83,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 494 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 66,53 kr |
| 10 - 49 | 62,61 kr |
| 50 - 99 | 56,56 kr |
| 100 - 249 | 53,20 kr |
| 250 + | 49,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-8632
- Tillv. art.nr:
- SiHH105N60EF-T1GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 26A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | EF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.091Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal effektförlust Pd | 174W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 26A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie EF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.091Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal effektförlust Pd 174W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay EF-serie effekt-MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 26 A maximal kontinuerlig drain-ström – SiHH105N60EF-T1GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för ytmonteringstillämpningar i industri- och fordonsmiljöer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för kretsar som kräver robust högspänningsswitchning med måttlig kontinuerlig strömkapacitet och gate-drivningsegenskaper.
Funktioner och fördelar:
• 650 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• Kontinuerlig dräneringsström på 26 A stöder betydande belastningsströmmar
• 0.091 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 174 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 33 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara drivkraven
• Nominell grindspänning på 30 V stöder vanliga grinddrivsystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 26 A stöder betydande belastningsströmmar
• 0.091 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 174 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• 33 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbara drivkraven
• Nominell grindspänning på 30 V stöder vanliga grinddrivsystem
Användningsområden
• Lämpligt för högspännings-DC-DC-omvandlare i industriella nätaggregat
• Idealisk för fordonsströmförsörjningsmoduler som uppfyller AEC‐Q101-kraven
• Används för omkoppling på primärsidan i SMPS och växelriktare
• Kan användas för motordriven halvbryggsteg i elektrifierade system
• Lämplig för robusta elektroniska enheter som kräver ytmontering
• Idealisk för fordonsströmförsörjningsmoduler som uppfyller AEC‐Q101-kraven
• Används för omkoppling på primärsidan i SMPS och växelriktare
• Kan användas för motordriven halvbryggsteg i elektrifierade system
• Lämplig för robusta elektroniska enheter som kräver ytmontering
Vilket monteringsformat använder den för kompakta monteringar?
Den levereras i ett PowerPAK 8x8-format utformat för ytmontering för att underlätta täta kretskortslayouter och termisk koppling till kopparhögningar.
Hur fungerar den i extrema temperaturer?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C, så den kan fungera i krävande omgivnings- och förhöjda kopplingsscenarier när den kyls på rätt sätt.
Vilka begränsningar för gate-drivning bör observeras?
Enheten får inte drivas utöver en grindkällspänning på 30 V och en typisk grindladdning är 33 nC, vilket informerar om toppdrivström och drivkretsval.
Är den lämplig för fordonskvalificeringskrav?
Enheten uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarden, vilket gör den lämplig för elektronikkonstruktioner av fordonskvalitet som kräver den kvalificeringen.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 33 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 31 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, EF
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 23 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF
- Vishay N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 5 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF