Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8633
Tillv. art.nr:: SIHK045N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

87 522,00 kr

(exkl. moms)

109 402,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	43,761 kr	87 522,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8633
Tillv. art.nr:: SIHK045N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	48A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Serie	E
	Kapseltyp	PowerPAK 10 x 12
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.043Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	98nC
	Maximal effektförlust Pd	278W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 48A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Serie E
	Kapseltyp PowerPAK 10 x 12
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.043Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC
	Maximal effektförlust Pd 278W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK045N60E-T1-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain source-spänning, 48 A kontinuerlig drain-ström – SIHK045N60E-T1-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanal-halvledarenhet utformad för omkoppling och strömhantering i krävande elektriska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade enheter där tillförlitlighet på fordonsnivå och hög kontinuerlig strömhantering krävs.

Funktioner och fördelar:

• 650 V dräneringsspänning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • Kontinuerlig dräneringsström på 48 A som stöder höga strömbelastningar • 0,043 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • 98 nC typisk grindladdning som möjliggör förutsägbara drivkrav • Maximal effektförlust på 278 W för betydande värmehantering • AEC-Q101-kvalificering som uppfyller fordonsbelastningsskärmningsbehov

Användningsområden

• Lämpligt för dragväxelriktare och motorstyrningsstegar i fordon • Idealisk för högspänningsströmomvandlare inom industriell automation • Används för DC-DC-konvertering i elektriska system med hög effekt • Kan användas för switchade nätaggregat i krävande miljöer

Vilka överväganden bör jag tillåta för gate-drivning?

Utforma gate-drivare för att leverera runt den typiska 98 nC-laddningen vid den valda Vgs för att säkerställa att omkopplingshastigheten uppfyller systemtimingen samtidigt som omkopplingsförlusterna begränsas.

Hur bör värmehantering hanteras på kretskortsmonteringar?

Använd PowerPAK 10x12-ytpaket för värmespridning och tillhandahållande av tillräcklig kopparyta och ledningar för att dissipera upp till 278 W under definierade kylförhållanden.

Vilka spänningsmarginaler är lämpliga för säkerhetskonstruktion?

Välj systemdriftspänningar långt under den maximala dräneringskällan på 650 V och begränsa grindutflykter inom grindkällans begränsning på ±30 V.

Finns det begränsningar för omgivningstemperaturen för drift?

Enheten fungerar från -55 °C upp till +150 °C kopplingstemperatur, så systemkylning och nedgradering måste ta hänsyn till driftpunkter med hög temperatur.