Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8633
Tillv. art.nr:: SIHK045N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

87 522,00 kr

(exkl. moms)

109 402,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	43,761 kr	87 522,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8633
Tillv. art.nr:: SIHK045N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	48A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Kapseltyp	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.043Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd	278W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	98nC
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 48A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Kapseltyp PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.043Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd 278W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK045N60E-T1-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 650 V maximal drain source-spänning, 48 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK045N60E-T1-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkoppling och strömomvandling i krävande elektroniska system. Den erbjuder hög spänningskapacitet och betydande strömhantering för användning i ytmonterade konstruktioner där termisk och elektrisk prestanda är avgörande. Enheten uppfyller blyfria industristandarder och uppfyller fordonskvalificering för användning i fordonselektronik.

Funktioner och fördelar:

• 650 V-klassning för högspänningsomkopplingstillämpningar
• 48 A kontinuerlig avtappningsström för hantering av tung belastning
• Låg påslagningsresistans på 0.043 Ω för att minska ledningsförluster
• 278 W effektförlust för förbättrad termisk hållbarhet
• 98 nC typisk grindladdning för förutsägbart omkopplingsbeteende
• 30 V gränstolerans möjliggör robust drivmarginal

Användningsområden

• Lämplig för offline-strömförsörjningar som kräver hög blockeringsspänning
• Idealisk för energihantering i fordon och motordrivkretsar
• Används med DC/DC-omvandlare i industriell utrustning
• Kan användas för växelriktarsteg i system för förnybar energi
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömmoduler

Vilka termiska extremer kan enheten tolerera under drift?

Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C upp till +150 °C, lämplig för tuffa omgivningsförhållanden.

Hur är enheten förpackad för kretskortsmontering?

Den levereras i ett PowerPAK10x12-paket med låg profil för ytmontering, optimerat för värmeavledning och automatiserad placering.

Vilka begränsningar för grinddrivning bör konstruktörer observera?

Grinden måste drivas inom ±30 V för att undvika överbelastning av grindkällan under omkopplingshändelser.

Uppfyller enheten kraven för fordonskvalificering?

Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarder, vilket gör den lämplig för fordonselektroniksystem.