Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 42 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8635
Tillv. art.nr:: SIHK055N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 42 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

77 200,00 kr

(exkl. moms)

96 500,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	38,60 kr	77 200,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8635
Tillv. art.nr:: SIHK055N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	42A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Kapseltyp	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.056Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd	236W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	54nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Kapseltyp PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.056Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd 236W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 42 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK055N60E-T1-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkoppling och strömhantering i krävande industri- och fordonssammanhang. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade monteringar där robust högspänningshantering och kompakt förpackning krävs.

Funktioner och fördelar:

• 650 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • Kontinuerlig dräneringsström på 42 A stöder drift med hög belastning • 0,056 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster • 54 nC typisk grindladdning balanserar omkopplingshastighet och drivkraft • 236 W effektförlust möjliggör hållbar strömhantering • Klassad för +150 °C för miljöer med förhöjd temperatur

Användningsområden

• Lämpligt för strömomvandlingsstegen i industriell automation • Idealisk för omkopplingskretsar för motordrivare • Används för högspännings-DC-DC-omvandlare i elektriska system • Kan användas för fordonsströmhanteringsmoduler som kräver AEC-Q101-kvalificering

Vilken monteringsstil krävs för kortsamling?

Den levereras i en PowerPAK 10x12-ytpaket med åtta stift utformade för ytmonterade lödprocesser och värmeledning till kretskortet.

Hur påverkar kravet på gate-enhet valet av styrenhet?

Enheten stöder gate-source-spänningar upp till 30 V och har en typisk gate-laddning på 54 nC, så drivrutiner måste generera tillräcklig laddning för önskade omkopplingsövergångar samtidigt som de förblir inom VGS-gränsen.

Vilka miljöextrema kan den motstå under drift?

Komponenten är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning över ett brett omgivnings- och kopplingstemperaturområde i tuffa miljöer.

Finns det branschgodkännanden som är relevanta för fordonsanvändning?

Den uppfyller AEC-Q101-standarderna för halvledare av fordonskvalitet och är RoHS-kompatibel för materialbegränsningar.