Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8635
Tillv. art.nr:: SIHK055N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

77 200,00 kr

(exkl. moms)

96 500,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2000 +	38,60 kr	77 200,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8635
Tillv. art.nr:: SIHK055N60E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	42A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Kapseltyp	PowerPAK 10 x 12
	Serie	E
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.056Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	236W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	54nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 42A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Kapseltyp PowerPAK 10 x 12
	Serie E
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.056Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 236W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain source-spänning, 42 A kontinuerlig drain-ström – SIHK055N60E-T1-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för krävande miljöer för effektomvandling och fordonsstyrning. Den fungerar över ett utökat omgivningsområde och erbjuds i ett kompakt ytmonterat paket som är lämpligt för montering med hög densitet, vilket ger en balans mellan effekthantering och värmekapacitet för industriella och fordonselektroniksystem.

Funktioner och fördelar:

• 650 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 42 A kontinuerlig ström stöder drift med hög belastning
• 0.056 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster
• 236 W effektförlust möjliggör kontinuerlig effektgenomströmning
• 54 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsenergi
• Gränstolerans på 30 V säkerställer en robust drivmarginal

Användningsområden

• Lämplig för dragväxelströmbrytare
• Idealisk för högspännings-DC/DC-omvandlarutgångar
• Används med motorstyrningar i fordonssystem
• Kan användas för omkoppling av industriella strömförsörjningar
• Lämplig för ytmonterade högeffektsenheter

Vilket temperaturområde kan jag förvänta mig när jag använder denna enhet?

Den är specifik för att fungera från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör drift i extrema omgivnings- och under-bonnet-förhållanden.

Hur påverkar förpackningen montering och kylning?

PowerPAK 10x12 ytmonteringsformat ger ett lågprofilsfotavtryck som underlättar värmeledningsförmågan hos kretskort och tätkortslayout.

Är denna enhet lämplig för fordonsprojekt med kvalificeringsbehov?

Den uppfyller AEC-Q101-kraven, vilket gör den tillämplig på många fordonselektronikkonstruktioner som kräver komponenter av fordonskvalitet.

Vilka begränsningar för gate-drivning bör observeras?

Den maximala gate-till-källspänningen är 30 V, så gate-drivkretsar måste begränsa utflykter inom detta intervall för att förhindra påfrestningar.