Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 33 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

68 598,00 kr

(exkl. moms)

85 748,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +34,299 kr68 598,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
252-0265
Tillv. art.nr:
SIHK075N60EF-T1GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

33A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

EF

Kapseltyp

PowerPAK 10 x 12

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.061Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

72nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

192W

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Bredd

5.15mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

6.15mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 33 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHK075N60EF-T1GE3


Denna effekt-MOSFET är en högspänningsomkopplingsenhet som är utformad för krävande kraftelektronik- och fordonsmiljöer. Den fungerar som en N-kanalstransistor med utarmningsläge som är lämplig för högspänningstillämpningar, vilket ger en balans mellan strömkapacitet och termisk hållbarhet för industriell styrning och elektroniska fordonssystem.

Funktioner och fördelar:


• 650 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • 33 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar • 0,061 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster • 192 W effektförlust möjliggör förhöjd effekthantering • 72 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivarstorlek • Maximal grind-källspänning på 20 V rymmer robusta drivområden

Användningsområden


• Lämplig för växelriktare och motorstyrsteg i automationssystem • Idealisk för högspännings-DC-omvandlare i elektrifierade fordon • Används för primära omkopplare i strömförsörjningar för industriell utrustning • Kan användas för drag- och hjälpelektronik för fordon

Vilket temperaturområde tål den under drift?


Den är specificerad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning över ett brett utbud av omgivnings- och termiska förhållanden som är typiska för fordons- och industriella installationer.

Vilken förpackningstyp bör designers ta hänsyn till på kortet?


Enheten levereras i ett 8-stifts PowerPAK 10x12-paket för ytmontering, så termisk padlayout och lödprofiler för det paketet bör appliceras.

Vilka begränsningar för gate-drivning måste observeras för tillförlitlig omkoppling?


Den maximala gate-källspänningen är 20 V

grinddrivare bör vara utformade för att förbli inom den gränsen samtidigt som de ger tillräckligt med spänning för att hantera grindladdningen på 72 nC.

Finns det några godkännanden eller miljöstandarder för denna enhet?


Den uppfyller RoHS-kraven och följer AEC-Q101 fordonsstandarden för komponentkvalificering.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.