Nexperia N Kanal, MOSFET, 0.41 A 50 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK88 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 251-7922
- Tillv. art.nr:
- PSMNR90-50SLHAX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 251-7922
- Tillv. art.nr:
- PSMNR90-50SLHAX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.41A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | LFPAK88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 8.1mm | |
| Längd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.7mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.41A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp LFPAK88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 8.1mm | ||
Längd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.7mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Nexperia 410 A kontinuerlig ström, logisk nivå grinddrivning N-kanalförbättringsläge MOSFET i 175 °C LFPAK88-paket. En del av ASFET-familjen för batterisolering och DC-motorstyrning och med Nexperias unika ”SchottkyPlus”-teknik ger hög effektivitet och låg spikprestanda som vanligtvis förknippas med MOSFET med en integrerad Schottky- eller Schottky-liknande diod men utan problematisk hög läckström.
Kopparklämma och lödningsmutterfäste för låg kapslingsinduktans och motstånd, och hög ID(max)-klassning
Kvalificerad till 175 °C
Avalanche-klassad, 100 % testad
Låg QG, QGD och QOSS för hög effektivitet, särskilt vid högre omkopplingsfrekvenser
Supersnabb omkoppling med mjuk kroppsdiodåterhämtning för låg spikning och ringning, rekommenderas för konstruktioner med låg EMI
Smal VGS(th)-klassning för enkel parallellkoppling och förbättrad strömfördelning
Mycket starka egenskaper för linjärt läge/säkert arbetsområde för säker och tillförlitlig omkoppling vid höga strömförhållanden
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 0.41 A 50 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK88 AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK88
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 410 A 50 V, SOT
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 4.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 2.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK AEC-Q101