Nexperia N Kanal, MOSFET, 2.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 151-3200
- Tillv. art.nr:
- PMPB215ENEAX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
94,75 kr
(exkl. moms)
118,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 24 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 3,79 kr | 94,75 kr |
| 250 - 600 | 2,845 kr | 71,13 kr |
| 625 - 1225 | 2,276 kr | 56,90 kr |
| 1250 - 2475 | 2,07 kr | 51,75 kr |
| 2500 + | 1,904 kr | 47,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-3200
- Tillv. art.nr:
- PMPB215ENEAX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 445mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 15.6W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.1mm | |
| Höjd | 650μm | |
| Bredd | 2.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 445mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 15.6W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.1mm | ||
Höjd 650μm | ||
Bredd 2.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
80 V, enkel N-kanal Trench MOSFET, N-kanalförstärkningsläge Fälteffekttransistor (FET) i ett blyfritt DFN2020MD-6 (SOT1220) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Trench MOSFET-teknik
Litet och blyfritt ultratunt SMD-plastpaket: 2 x 2 x 0,65 mm
Exponerad dräneringskudde för utmärkt värmeledningsförmåga
Tennpläterade 100 % lödbara sidopinnar för optisk lödinspektion
AEC-Q101-godkänd
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 2.8 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 4.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 337 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 203 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H800N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H801N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 123 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H818N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 103 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H824N AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 89 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6D1N08H AEC-Q101