Nexperia N Kanal, MOSFET, 410 A 50 V, SOT

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
260-4740
Tillv. art.nr:
PSMNR90-50SLH
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

410A

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Kapseltyp

SOT

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
Nexperias logiska nivå-gate-drivkrets N-kanal-förbättringsläge MOSFET i 175 °C LFPAK88-paket. En del av ASFET-familjen för batterisolering och DC-motorstyrning och med Nexperias unika Schottky Plus-teknik ger hög effektivitet och låg spikprestanda som vanligtvis förknippas med MOSFET med en integrerad Schottky- eller Schottky-liknande diod men utan problematisk hög läckström. ASFET är särskilt lämpad för 36 V batteridrivna tillämpningar som kräver stark avalanchekapacitet, linjär prestanda, användning vid höga omkopplingsfrekvenser och även säker och tillförlitlig omkoppling vid hög belastningsström.

Supersnabb omkoppling med mjuk kroppsdiodåterhämtning

Mycket starkt linjärt läge

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.