Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-353
- Tillv. art.nr:
- PSMNR90-40YLHX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
42 310,50 kr
(exkl. moms)
52 888,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 29 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 28,207 kr | 42 310,50 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
55 806,00 kr
(exkl. moms)
69 757,50 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 219-353
- Tillv. art.nr:
- PSMNR90-40YLHX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 300A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | PSM | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.94mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 333W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 300A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie PSM | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.94mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximal effektförlust Pd 333W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanal MOSFET använder avancerad TrenchMOS Super junction-teknik. Förpackningen är kvalificerad för 175 °C. Den är utformad för högpresterande effektomkopplingstillämpningar. Nyckeltillämpningar inkluderar automation, robotteknik, DC-till-DC-omvandlare, borstlös DC-motorstyrning, industriell belastningsswitching, eFuse och inrush-hantering.
Låg parasitisk induktion och motstånd
Hög tillförlitlighet, klämklädd och löddämpad, Power SO8-hus
Kan löddas med våg
Supersnabb växling med mjuk återhämtning
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 320 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 300 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 115 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 66 A 30 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM