Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- RS-artikelnummer:
- 219-300
- Tillv. art.nr:
- PSMNR90-40YSNX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 1500 enheter)*
14 337,00 kr
(exkl. moms)
17 922,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | 9,558 kr | 14 337,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-300
- Tillv. art.nr:
- PSMNR90-40YSNX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 320A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.97mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 268W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 320A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.97mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal effektförlust Pd 268W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Nexperia N-kanals ASFET är optimerad för batterisystem, erbjuder låg RDS(on) och stark SOA-kapacitet för att minimera I2R-ledningsförluster. Den ger hög effektivitet, minskad värmegenerering och överlägsen hantering av inloppsström under transient- och felförhållanden. Nyckeltillämpningar inkluderar batterihanteringssystem, eFuse, belastningsomkoppling, BLDC-motorstyrning, högpresterande strömförsörjningar och synkron utjämning.
LLFPAK kopparclips
LLFPAK gullvingekabel
Avalanche-godkänd och 100 % testad
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 320 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 225 A 80 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 255 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 200 A 100 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 25 V Förbättring, 5 Ben, LFPAK, PSM