Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 250-0523
- Tillv. art.nr:
- BSD235CH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
34,27 kr
(exkl. moms)
42,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 8 900 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,427 kr | 34,27 kr |
| 100 - 240 | 3,27 kr | 32,70 kr |
| 250 - 490 | 3,17 kr | 31,70 kr |
| 500 - 990 | 2,968 kr | 29,68 kr |
| 1000 + | 1,893 kr | 18,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 250-0523
- Tillv. art.nr:
- BSD235CH6327XTSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 0.95A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Serie | BSD235C | |
| Antal ben | 6 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 0.95A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Serie BSD235C | ||
Antal ben 6 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon gör denna 20 V kompletterande P + N-kanal som används i stor utsträckning i tillämpningar med hög omkoppling. Den är lavinklassad och halogenfri. Den här MOSFET-förbättringsläget erbjuder superlogiknivå (klassad för 2,5 V). Enheten är Avalanche-klassad och 100 % blyfri.
Superlogiknivå med 2,5 V-klassning
Drifttemperaturen är 150 °C
Relaterade länkar
- Infineon 2 Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 0.95 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD235C AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -0.39 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -1.5 A 40 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSV AEC-Q101
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 550 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMP31 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, BSD AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, OptiMOS 2 AEC-Q101
- Toshiba 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101