onsemi 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
761-9847
Tillv. art.nr:
FDG6332C
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

700mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-363

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

700mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-0.77V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

0.3W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.4nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

1mm

Bredd

1.25mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

2mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Dubbel N-kanal MOSFET för fordon, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductor tillhandahåller lösningar som löser komplexa utmaningar på fordonsmarknaden med en grundlig styrning av kvalitets-, säkerhets- och tillförlitlighetsstandarder.

MOSFET-transistorer, ON Semi


><

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.