onsemi 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- RS-artikelnummer:
- 761-9847
- Tillv. art.nr:
- FDG6332C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 761-9847
- Tillv. art.nr:
- FDG6332C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 700mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SOT-363 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 700mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 0.3W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.77V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +12V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.25mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 700mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SOT-363 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 700mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 0.3W | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.77V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +12V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.25mm | ||
Höjd 1mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Automotive Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor provides solutions that solve complex challenges in the automotive market with a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 700 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363
- onsemi 2 Typ N, Typ N, Typ P, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 6.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 880 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363 AEC-Q101
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 3.8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MicroFET, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 680 mA 25 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23
- onsemi 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 8.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3 A 20 V Förbättring, 6 Ben, SSOT, PowerTrench
- onsemi 2 Typ P, Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3.7 A 20 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench