DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- RS-artikelnummer:
- 246-7559
- Tillv. art.nr:
- DMT69M9LPDW-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 246-7559
- Tillv. art.nr:
- DMT69M9LPDW-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0168Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerDI5060-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0168Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in TO252 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has working temperature range of -55°C to +150°C.
Maximum drain to source voltage is 60 V and maximum gate to source voltage is ±16 V It offers low on-resistance and fast switching speed It offers a wettable flank for improved optical inspection Thermally efficient package ideal for cooler running applications
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel 33.2 A 60 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 46.2 A 40 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q100,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 46.2 A 40 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q200,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 17.1 A 60 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 33 A 60 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex Typ P Kanal 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 100 A 100 V Förbättring PowerDI5060, DMTH10H4M6SPS
