DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 20.1 kA 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10
- RS-artikelnummer:
- 206-0159
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
70,56 kr
(exkl. moms)
88,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 965 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 14,112 kr | 70,56 kr |
| 50 - 95 | 12,41 kr | 62,05 kr |
| 100 - 245 | 12,096 kr | 60,48 kr |
| 250 - 995 | 11,782 kr | 58,91 kr |
| 1000 + | 11,468 kr | 57,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0159
- Tillv. art.nr:
- DMTH10H4M5LPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20.1kA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | DMTH10 | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.7W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20.1kA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie DMTH10 | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.7W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 100 V, 8-polig N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den bibehåller överlägsen omkopplingsprestanda. Denna enhet är idealisk för användning i batteriströmhantering och belastningsswitch för bärbara datorer. Grindkällans spänning är 20 V med 2,7 W termisk effektförlust.
Låg på-resistans
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 20.1 kA 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH84M1SPSQ
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH10H009LPSQ
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 215 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMTH61M8SPS