Infineon N Kanal, MOSFET, 273 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
242-5822
Tillv. art.nr:
IPB110N20N3LFATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

273A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

iPB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

N

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

81W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Infineons linjära FET MOSFET är ett revolutionerande tillvägagångssätt för att undvika kompromissen mellan på-motstånd (R DS(on)) och linjär lägeskapacitet – drift i mättnadsområdet för en förstärkt läges MOSFET. Den erbjuder den toppmoderna R DS(on) för en trench-MOSFET tillsammans med det breda säkra arbetsområdet för en klassisk planär MOSFET.

Kombination av låg R DS(on) och brett säkert driftområde (SOA)

Hög maximal pulsström

Hög kontinuerlig pulsström

Maximal dräneringsström är 88 A

Drifttemperaturområde är från -55 °C till 150 °C

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.