Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 120 V N, TO-263, iPB
- RS-artikelnummer:
- 259-1546
- Tillv. art.nr:
- IPB038N12N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
61,60 kr
(exkl. moms)
77,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 743 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 61,60 kr |
| 10 - 24 | 58,58 kr |
| 25 - 49 | 57,23 kr |
| 50 - 99 | 53,54 kr |
| 100 + | 49,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1546
- Tillv. art.nr:
- IPB038N12N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 120V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 120V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 120 V optimos-familj erbjuder samtidigt branschens lägsta påslagningsresistanser och det snabbaste omkopplingsbeteendet, vilket möjliggör uppnåelse av enastående prestanda i ett brett spektrum av tillämpningar. 120 V optimos-teknik ger nya möjligheter för optimerade lösningar.
Utmärkta omkopplingsegenskaper
Världens lägsta R DS(on)
Mycket låg Q g och Q gd
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
RoHS-kompatibel halogenfri
MSL1 klassad 2
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 120 V N, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V N, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 161 A 80 V N, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V N, TO-263, iPB