Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 127 A 100 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 242-0969
- Tillv. art.nr:
- AUIRFS4310ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
59,92 kr
(exkl. moms)
74,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 599 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 59,92 kr |
| 5 - 9 | 56,67 kr |
| 10 - 24 | 51,18 kr |
| 25 - 49 | 46,14 kr |
| 50 + | 43,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 242-0969
- Tillv. art.nr:
- AUIRFS4310ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 127A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 127A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie AUIRFS | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon erbjuder en 100 V Atomotive HEXFET-effekt-MOSFET med en N-kanal i en D2-Pak-kapsel. Den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen är 120 A.
Avancerad processteknik
Ultralåg påslagningsresistans
175 °C drifttemperatur
Snabbväxlande
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 127 A 100 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101