Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1728
- Tillv. art.nr:
- AUIRF3205ZSTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 800 enheter)*
9 512,00 kr
(exkl. moms)
11 888,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 11,89 kr | 9 512,00 kr |
| 1600 + | 11,296 kr | 9 036,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1728
- Tillv. art.nr:
- AUIRF3205ZSTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | AUIRF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 170W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.67mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie AUIRF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 170W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.67mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselområde. Ytterligare funktioner i denna design är en kopplingstemperatur på 175 °C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning. Dessa funktioner kombinerar för att göra denna design till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet för användning i fordonstillämpningar och en mängd andra tillämpningar.
Den är RoHS-kompatibel och AEC Q101-kvalificerad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 72 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101