Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 25 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- RS-artikelnummer:
- 240-1992
- Tillv. art.nr:
- PXN6R2-25QLJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
85,45 kr
(exkl. moms)
106,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,418 kr | 85,45 kr |
| 50 - 75 | 3,351 kr | 83,78 kr |
| 100 - 225 | 2,616 kr | 65,40 kr |
| 250 - 975 | 2,572 kr | 64,30 kr |
| 1000 + | 1,926 kr | 48,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-1992
- Tillv. art.nr:
- PXN6R2-25QLJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | MLPAK33 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 12.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp MLPAK33 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 12.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias N-kanalförstärkningsläge Field-Effect-transistor (FET) i en MLPAK33 (SOT8002) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Logiknivåkompatibel
Trench MOSFET-teknik
Ultralåg QG och QGD för hög systemeffektivitet, särskilt vid högre omkopplingsfrekvenser
Supersnabb omkoppling med mjuk återställning
Låg spikning och ringning för konstruktioner med låg EMI
MLPAK33-paket (3,3 x 3,3 mm fotavtryck)
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 25 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 7.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 11.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 12.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33