Nexperia N Kanal, MOSFET, 12.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 978,00 kr

(exkl. moms)

8 724,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +2,326 kr6 978,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
240-1993
Tillv. art.nr:
PXN6R7-30QLJ
Tillverkare / varumärke:
Nexperia
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Nexperia

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

MLPAK33

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

13.6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

12.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Nexperias N-kanalförstärkningsläge Field-Effect-transistor (FET) i en MLPAK33 (SOT8002) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.

Logiknivåkompatibel

Trench MOSFET-teknik

Ultralåg QG och QGD för hög systemeffektivitet, särskilt vid högre omkopplingsfrekvenser

Supersnabb omkoppling med mjuk återställning

Låg spikning och ringning för konstruktioner med låg EMI

MLPAK33-paket (3,3 x 3,3 mm fotavtryck)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.