Nexperia N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- RS-artikelnummer:
- 240-1989
- Tillv. art.nr:
- PXN5R4-30QLJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
7 890,00 kr
(exkl. moms)
9 870,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,63 kr | 7 890,00 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
14 538,00 kr
(exkl. moms)
18 172,50 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 240-1989
- Tillv. art.nr:
- PXN5R4-30QLJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | MLPAK33 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 12.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp MLPAK33 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 12.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias N-kanalförstärkningsläge Field-Effect-transistor (FET) i en MLPAK33 (SOT8002) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Logiknivåkompatibel
Trench MOSFET-teknik
MLPAK33-paket (3,3 x 3,3 mm fotavtryck)
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 11.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 12.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 22.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33