Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- RS-artikelnummer:
- 240-1978
- Tillv. art.nr:
- PXN010-30QLJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
5 589,00 kr
(exkl. moms)
6 987,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,863 kr | 5 589,00 kr |
*vägledande pris
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
10 683,00 kr
(exkl. moms)
13 353,75 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 240-1978
- Tillv. art.nr:
- PXN010-30QLJ
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | MLPAK33 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 12.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp MLPAK33 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 12.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Nexperias N-kanalförstärkningsläge Field-Effect-transistor (FET) i en MLPAK33 (SOT8002) ytmonterad enhet (SMD) plastpaket med Trench MOSFET-teknik.
Logiknivåkompatibel
Trench MOSFET-teknik
Ultralåg QG och QGD för hög systemeffektivitet, särskilt vid högre omkopplingsfrekvenser
Supersnabb omkoppling med mjuk återställning
Låg spikning och ringning för konstruktioner med låg EMI
MLPAK33-paket (3,3 x 3,3 mm fotavtryck)
Relaterade länkar
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 25 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 11.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 14 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 12.7 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 7.9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33