Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 21 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 239-8637
- Tillv. art.nr:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 239-8637
- Tillv. art.nr:
- SIHK125N60E-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.109Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 132W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.109Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximal effektförlust Pd 132W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay serie E Power MOSFET, 650 V drain source-spänning, 21 A kontinuerlig drain-ström – SIHK125N60E-T1-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalswitch som är utformad för krävande effektomvandlings- och fordonsmiljöer. Den fungerar över ett utökat omgivningsområde och levereras i ett kompakt ytmonterat PowerPAK 10x12-paket som är lämpligt för täta kortlayouter. Enheten stöder robusta grinddrivförhållanden och är tillverkad för att uppfylla branschens blyfria miljökrav.
Funktioner och fördelar:
• 650 V avtappningskapacitet möjliggör konstruktion av högspänningssystem
• 21 A kontinuerlig dräneringsström som stöder betydande belastningsströmmar
• Låg Rds(on) på 0,109 Ω minskar ledningsförlusterna i effektstegen
• 132 W effektförlust ger högre värmeutrymme
• Gränstolerans upp till 30 V möjliggör aggressiva drivsystem
• Typisk grindladdning 54 nC för snabba växlingsövergångar
• 21 A kontinuerlig dräneringsström som stöder betydande belastningsströmmar
• Låg Rds(on) på 0,109 Ω minskar ledningsförlusterna i effektstegen
• 132 W effektförlust ger högre värmeutrymme
• Gränstolerans upp till 30 V möjliggör aggressiva drivsystem
• Typisk grindladdning 54 nC för snabba växlingsövergångar
Användningsområden
• Lämplig för högspännings-DC-DC-omvandlare i industriella system
• Idealisk för inbyggda strömfördelningsmoduler för fordon
• Används med motorstyrningssteg som kräver högspänningskoppling
• Kan användas för strömförsörjning i telekommunikationsutrustning
• Lämplig för implementering av halvbrygga och synkron-likriktare
• Idealisk för inbyggda strömfördelningsmoduler för fordon
• Används med motorstyrningssteg som kräver högspänningskoppling
• Kan användas för strömförsörjning i telekommunikationsutrustning
• Lämplig för implementering av halvbrygga och synkron-likriktare
Vilka termiska förhållanden tål den i tuffa miljöer?
Den är specifik för drift mellan -55 °C och +150 °C, vilket möjliggör användning i extrema temperaturområden som finns i fordons- och industriella miljöer.
Hur påverkar förpackningen montering och montering?
PowerPAK 10x12 ytmonteringsformat ger ett lågprofilsformat som underlättar automatiserad placering och effektiv användning av kretskortsfastigheter.
Är denna enhet lämplig för arbetsflöden för fordonskvalificering?
Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarden, vilket gör den lämplig för fordonselektronik som kräver fordonskvalificering på komponentnivå.
Vilka kompromisser för ledning och omkoppling bör konstruktörer förvänta sig?
Förvänta dig en balans mellan måttlig grindladdning och låg Rds(on), vilket ger minskad ledningsförlust samtidigt som det upprätthåller rimligt snabb omkoppling för många kraftelektroniktopologier.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 21 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 48 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 42 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 19 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, E AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 33 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 37 A 60 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
