Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247AC, EF AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8628
Tillv. art.nr:: SIHG026N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247AC, EF AEC-Q101

Antal (1 rör med 25 enheter)*

1 852,025 kr

(exkl. moms)

2 315,025 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

475 enhet(er) levereras från den 07 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
25 +	74,081 kr	1 852,03 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8628
Tillv. art.nr:: SIHG026N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	95A
	Maximal källspänning för dränering Vds	650V
	Kapseltyp	TO-247AC
	Serie	EF
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	0.023Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	63nC
	Maximal effektförlust Pd	521W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 95A
	Maximal källspänning för dränering Vds 650V
	Kapseltyp TO-247AC
	Serie EF
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 0.023Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC
	Maximal effektförlust Pd 521W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHG026N60EF-GE3

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 650 V maximal drain-källspänning, 95 A maximal kontinuerlig drain-ström – SIHG026N60EF-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor som är utformad för krävande kraftelektronikmiljöer, särskilt i fordons- och industrisystem. Den fungerar som en N-typ utarmningskanal-enhet i en genomgående hål-ytpaket som är lämplig för ingenjörer som kräver robusta termiska och elektriska prestanda över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• 650 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • 95 A kontinuerlig dräneringsström stöder hantering av tung belastning • 0,023 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • 521 W effektförlust möjliggör varaktig termisk prestanda • 63 nC typisk grindladdning ger förutsägbart omkopplingsbeteende • 30 V grintolerans säkerställer kompatibilitet med vanliga drivspänningar

Användningsområden

• Lämpligt för dragväxelriktarsteg i fordonsdrivningselektronik • Idealisk för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare • Används för industriella motorstyrningsswitch-enheter • Kan användas för högströms DC-DC-konvertering i automationssystem

Vilken monteringsstil använder denna enhet och varför är det viktigt?

Den levereras i en TO-247AC-förpackning för ytmontering som underlättar säker värmeavledning och enkel kretskorts- eller kylelementfäste för effektiv värmehantering.

Hur fungerar enheten över extrema temperaturer?

Transistorn är klassad för drift från -55 till +150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa omgivningsförhållanden och högtemperaturinkapslingar.

Vilka överväganden om gate-drivning bör observeras?

Maximal Vgs är 30 V

Konstruktörer bör se till att grinddrivare inte överskrider denna nivå för att förhindra grindöverbelastning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.

Vilken standard hanterar dess lämplighet för fordonsanvändning?

Den uppfyller AEC-Q101-standarden för fordon, vilket indikerar att den har kvalificerats för elektroniska fordonstillämpningar enligt den specifikationen.