Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8619
Tillv. art.nr:: SIHA15N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

Antal (1 rör med 50 enheter)*

600,05 kr

(exkl. moms)

750,05 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

950 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	12,001 kr	600,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8619
Tillv. art.nr:: SIHA15N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	850V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	EF
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	0.35Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Maximal effektförlust Pd	33W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	54nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 850V
	Kapseltyp TO-220
	Serie EF
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 0.35Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Maximal effektförlust Pd 33W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 850 V drain-källspänning, 6 A kontinuerlig drain-ström – SIHA15N80AEF-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspännings-, N-kanal-halvledarenhet som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsuppgifter i krävande miljöer. Den levereras i en TO-220-kapsel för ytmontering och är avsedd för tillämpningar som kräver robust högspänningskapacitet, kontrollerat grindbeteende och drift över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:

• 850 V dräneringsspänning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 6 A stöder medelstora belastningar
• 0.35 Ω Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• Effektförlust på 33 W möjliggör varaktig värmehantering
• 54 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar grinddrivkonstruktion
• Grindklassning ±30 V skyddar mot överdriven grindbelastning

Användningsområden

• Lämplig för industriella högspänningsomvandlare
• Idealisk för fordonselektronik som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Används med switchade nätaggregat och växelriktare
• Kan användas för front-end-omkoppling av motordrivningar
• Lämplig för extra nätaggregat i tuffa miljöer

Inom vilket temperaturområde kan den fungera tillförlitligt?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till +150 °C för bred omgivnings- och kopplingstolerans.

Hur påverkas grinddrivningskonstruktionen av enheten?

Den typiska grindladdningen på 54 nC definierar grindenergikravet och informerar om kompromisser mellan drivström och växlingshastighet.

Vilka förpacknings- och monteringsaspekter gäller?

TO-220-kapseln är avsedd för ytmontering och erbjuder praktiska termiska anslutningsalternativ för kylelement.

Vilken polaritet och vilket kanalbeteende bör konstruktörer förvänta sig?

Enheten är en N-kanalstransistor med utarmningsläge, vilket kräver lämpliga bias- och styrstrategier i kretsdesigner.