Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8619
Tillv. art.nr:: SIHA15N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

Antal (1 rör med 50 enheter)*

600,05 kr

(exkl. moms)

750,05 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

950 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	12,001 kr	600,05 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8619
Tillv. art.nr:: SIHA15N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	850V
	Serie	EF
	Kapseltyp	TO-220
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	0.35Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd	33W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	54nC
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 850V
	Serie EF
	Kapseltyp TO-220
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 0.35Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Maximal effektförlust Pd 33W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 54nC
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SIHA15N80AEF-GE3

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 850 V drain-källspänning, 6 A kontinuerlig drain-ström – SIHA15N80AEF-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor avsedd för krävande elektroniska och fordonsmiljöer. Den fungerar som en N-kanalutarmningsenhet i en robust TO-220-ytapackning, utformad för att hantera förhöjda spänningar och temperaturer samtidigt som den interagerar med standard gate-drivnivåer.

Funktioner och fördelar:

• 850 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • Kontinuerlig dräneringsström på 6 A stöder måttliga belastningsströmmar • Effektförlust på 33 W möjliggör varaktig värmehantering • 0,35 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning • 54 nC typisk grindladdning möjliggör kontrollerad omkopplingsdynamik • Maximal gate-tolerans på 30 V skyddar mot grindöverspänning

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar i industriell automation • Idealisk för fordonsdelsystem som kräver AEC‐Q101-kompatibilitet • Används för motorstyrningskretsar som behöver robusta omkopplingsenheter • Kan användas för DC-DC-omvandlare i elektriska system • Används med högspänningsväxelriktare i elektromekanisk utrustning

Vilka extrema temperaturer kan denna enhet tolerera under drift?

Den fungerar över ett brett temperaturområde från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.

Hur monteras enheten och integreras i monteringarna?

Den levereras i en TO-220-förpackning för ytmontering med tre stift för enkel montering genom panel eller kylelement.

Vilken skyddsnivå tillhandahålls för miljödirektiven?

Komponenten uppfyller RoHS-standarder, vilket indikerar överensstämmelse med begränsade farliga ämnen för material.

Hur påverkar grindspecifikationen drivkretsen?

Grinden accepterar upp till 30 V, så drivstegen bör utformas för att förbli inom denna gräns för att undvika grindbelastning.