Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.5 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 239-8622
- Tillv. art.nr:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
80,64 kr
(exkl. moms)
100,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 050 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 40,32 kr | 80,64 kr |
| 20 - 98 | 37,855 kr | 75,71 kr |
| 100 - 198 | 34,215 kr | 68,43 kr |
| 200 - 498 | 32,255 kr | 64,51 kr |
| 500 + | 30,24 kr | 60,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-8622
- Tillv. art.nr:
- SiHA17N80AEF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 850V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.305Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 63nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 34W | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 850V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie EF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.305Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 34W | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay EF-serie effekt-MOSFET, 850 V maximal drain-källspänning, 6,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – SiHA17N80AEF-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i krävande elektroniska system. Den levereras i en TO-220-kapsel avsedd för ytmontering och stöder utökade drifttemperaturer, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver prestanda inom ett brett temperaturområde och fordonsklassad robusthet.
Funktioner och fördelar:
• 850 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 6.5 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 0.305 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 63 nC typisk grindladdning sänker behovet av omkopplingsenergi
• Maximal effektförlust på 34 W hanterar termisk påfrestning under drift
• Arbetsområde -55 °C till +150 °C tål extrema temperaturer
• 6.5 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 0.305 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 63 nC typisk grindladdning sänker behovet av omkopplingsenergi
• Maximal effektförlust på 34 W hanterar termisk påfrestning under drift
• Arbetsområde -55 °C till +150 °C tål extrema temperaturer
Användningsområden
• Lämpligt för högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för fordonselektronik som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Används med industriella motordrivenheter som kräver robust omkoppling
• Kan användas för SMPS-steg som hanterar högspänningsskenor
• Används för strömomkoppling i gränssnitt för förnybar energi
• Idealisk för fordonselektronik som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Används med industriella motordrivenheter som kräver robust omkoppling
• Kan användas för SMPS-steg som hanterar högspänningsskenor
• Används för strömomkoppling i gränssnitt för förnybar energi
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas för säker drift?
Enheten får inte överskrida en gate-källspänning på 30 V för att förhindra gate-oxidbelastning.
Hur påverkar förpackningen termisk hantering?
TO-220-kapseln möjliggör effektiv värmeavledning och stöder den angivna effektförlusten på 34 W när den är korrekt monterad.
Vilka kanalegenskaper påverkar valet av kretstopologi?
Som en N-kanals utarmningsläge-enhet leder den utan grinddrivning och kräver grindbiasstrategier för att styra från-tillståndsbeteende.
Är enheten lämplig för reglerade fordonsmiljöer?
Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarder och är specificerad för utökade temperaturgränser för att uppfylla fordonssystemkrav.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.5 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 95 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247AC, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK 8 x 8, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 33 A 650 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, EF AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-263, EF AEC-Q101