Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.5 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 239-8621
Tillv. art.nr:: SiHA17N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.5 A 850 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-220, EF AEC-Q101

Antal (1 rör med 50 enheter)*

711,95 kr

(exkl. moms)

889,95 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 1 050 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rör*
50 +	14,239 kr	711,95 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-8621
Tillv. art.nr:: SiHA17N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	850V
	Kapseltyp	TO-220
	Serie	EF
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	0.305Ω
	Kanalläge	Avskrivningar
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	34W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	63nC
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 850V
	Kapseltyp TO-220
	Serie EF
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 0.305Ω
	Kanalläge Avskrivningar
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 34W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 63nC
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SiHA17N80AEF-GE3

Vishay EF-serie effekt-MOSFET, 850 V maximal drain-källspänning, 6,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – SiHA17N80AEF-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i krävande elektroniska system. Den levereras i en TO-220-kapsel avsedd för ytmontering och stöder utökade drifttemperaturer, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver prestanda inom ett brett temperaturområde och fordonsklassad robusthet.

Funktioner och fördelar:

• 850 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 6.5 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 0.305 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 63 nC typisk grindladdning sänker behovet av omkopplingsenergi
• Maximal effektförlust på 34 W hanterar termisk påfrestning under drift
• Arbetsområde -55 °C till +150 °C tål extrema temperaturer

Användningsområden

• Lämpligt för högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för fordonselektronik som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Används med industriella motordrivenheter som kräver robust omkoppling
• Kan användas för SMPS-steg som hanterar högspänningsskenor
• Används för strömomkoppling i gränssnitt för förnybar energi

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas för säker drift?

Enheten får inte överskrida en gate-källspänning på 30 V för att förhindra gate-oxidbelastning.

Hur påverkar förpackningen termisk hantering?

TO-220-kapseln möjliggör effektiv värmeavledning och stöder den angivna effektförlusten på 34 W när den är korrekt monterad.

Vilka kanalegenskaper påverkar valet av kretstopologi?

Som en N-kanals utarmningsläge-enhet leder den utan grinddrivning och kräver grindbiasstrategier för att styra från-tillståndsbeteende.

Är enheten lämplig för reglerade fordonsmiljöer?

Den uppfyller AEC-Q101 fordonsstandarder och är specificerad för utökade temperaturgränser för att uppfylla fordonssystemkrav.