STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 239-5544
- Tillv. art.nr:
- STP80N240K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
311,14 kr
(exkl. moms)
388,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 62,228 kr | 311,14 kr |
| 10 - 20 | 59,114 kr | 295,57 kr |
| 25 - 45 | 53,20 kr | 266,00 kr |
| 50 + | 52,908 kr | 264,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-5544
- Tillv. art.nr:
- STP80N240K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | UL | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 28.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden UL | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 28.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on 20 years STMicroelectronics experience on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. This MOSFET is Recommended for flyback topology, based applications such as LED lighting, chargers and adapters. Provide more power density reducing both BOM cost and size of the board.
Worldwide best RDS(on) x area
Worldwide best FOM (figure of merit)
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener-protected
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP