STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 239-5544
- Tillv. art.nr:
- STP80N240K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
338,69 kr
(exkl. moms)
423,36 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 20 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 67,738 kr | 338,69 kr |
| 50 - 120 | 61,712 kr | 308,56 kr |
| 125 + | 51,43 kr | 257,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 239-5544
- Tillv. art.nr:
- STP80N240K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 45mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 140W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | UL | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 28.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 45mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 140W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden UL | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 28.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics effekt-MOSFET med N-kanal för mycket hög spänning är utformad med den ultimata MDmesh K6-tekniken baserad på STMicroelectronics 20 års erfarenhet av superkopplingsteknik. Resultatet är klassens bästa påslagningsresistans per område och grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet. Denna MOSFET rekommenderas för flybacktopologi, baserade tillämpningar som LED-belysning, laddare och adaptrar. Tillhandahåller mer effekttäthet som minskar både BOM-kostnaden och kortets storlek.
Världens bästa RDS(on) x-område
Världens bästa FOM (meritfaktor)
Ultralåg grindladdning
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP