STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- RS-artikelnummer:
- 269-5163
- Tillv. art.nr:
- STP80N340K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 250 till för att spara 78,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
1 278,15 kr
(exkl. moms)
1 597,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 50 - 200 | 25,563 kr | 1 278,15 kr | - |
| 250 - 450 | 25,249 kr | 1 262,45 kr | 78,50 kr |
| 500 + | 24,94 kr | 1 247,00 kr | 311,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 269-5163
- Tillv. art.nr:
- STP80N340K6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 340mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 10.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 4.6mm | |
| Längd | 28.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie STP | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 340mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 10.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 4.6mm | ||
Längd 28.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics N-kanalig effekt-MOSFET är en mycket högspänning som är utformad med den ultimata MDmesh K6-tekniken, vilket resulterar i den bästa klassen på resistans per område och grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.
Ultralåg grindladdning
100-procentigt lavintestat
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STP80N
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh