Toshiba N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V, 3 Ben, SOT-23, T2N7002AK
- RS-artikelnummer:
- 236-3585
- Tillv. art.nr:
- T2N7002AK,LM(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 250 enheter)*
101,00 kr
(exkl. moms)
126,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 33 750 enhet(er) från den 19 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | 0,404 kr | 101,00 kr |
| 500 - 750 | 0,396 kr | 99,00 kr |
| 1000 - 1250 | 0,364 kr | 91,00 kr |
| 1500 - 2750 | 0,356 kr | 89,00 kr |
| 3000 + | 0,331 kr | 82,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3585
- Tillv. art.nr:
- T2N7002AK,LM(T
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | T2N7002AK | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.27nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.87V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 800μm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.4mm | |
| Bredd | 2.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie T2N7002AK | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.27nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.87V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 800μm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.4mm | ||
Bredd 2.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Toshibas fälteffekttransistor är tillverkad av kiselmaterial och har N-kanal MOS-typ. Den används huvudsakligen i höghastighetsomkopplingstillämpningar.
Lagringstemperaturområde -55 till 150 °C
Relaterade länkar
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V, 3 Ben, SOT-23, T2N7002AK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 2 A 40 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 60 V, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 60 V, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- Toshiba Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V, 3 Ben, SOT-23