DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 400 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN63D8L AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 718-536
- Tillv. art.nr:
- DMN63D8L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
2,88 kr
(exkl. moms)
3,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 0,576 kr | 2,88 kr |
| 125 - 495 | 0,524 kr | 2,62 kr |
| 500 - 2495 | 0,472 kr | 2,36 kr |
| 2500 + | 0,394 kr | 1,97 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 718-536
- Tillv. art.nr:
- DMN63D8L-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 400mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMN63D8L | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 520mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -50°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Bredd | 2.5mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMN63D8L | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 520mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -50°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Bredd 2.5mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex N-kanal förstärkningsläge MOSFET är utformad för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Denna mångsidiga komponent prioriterar minimalt motstånd i on-state samtidigt som den garanterar överlägsen omkopplingsprestanda. Denna MOSFET är idealisk för tillämpningar som motorstyrning, strömhanteringsfunktioner och bakgrundsbelysning och erbjuder en tillförlitlig och effektiv lösning för att hantera krävande strömkrav. Med en robust konstruktion som uppfyller AEC-Q101-standarderna klassas den också som en "grön" enhet, vilket understryker dess miljövänliga referenser. Dess kompakta SOT23-hus underlättar platsbesparande placeringar i olika elektronikprodukter.
Uppnår lågt motstånd vid påverkan, vilket säkerställer hög effektivitet vid strömhantering
Har låg ingångskapacitet för snabba växlingshastigheter, vilket förbättrar den totala prestandan
Hanterar en maximal dräneringsspänning på 30 V, vilket gör den mångsidig för olika tillämpningar
Ger kontinuerliga dräneringsströmmar på upp till 350 mA vid 25 °C, vilket stöder tillförlitlig drift i krävande scenarier
Utformad med ESD-skydd på grinden för att skydda enheten och öka livslängden
Överensstämmer med RoHS och är fritt från bly, halogener och antimon, vilket stöder miljövänlig tillverkning
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 400 mA 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, DMN63D8L AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 4.6 A 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.2 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.9 A 100 V Förbättring, 6 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.4 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 1.7 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 75 mA 100 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 900 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101