ROHM N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

3 447,00 kr

(exkl. moms)

4 308,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,149 kr3 447,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
235-2643
Tillv. art.nr:
BSS138BKAHZGT116
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

400mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

680mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

350mW

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3mm

Höjd

1.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

ROHM en N-kanal 60 V MOSFET och ESD-skyddsdiod ingår i SST3-kapseln. Denna produkt är idealisk för tillämpningar med omkopplingskrets och hög-sidad belastningsswitch, relädrivare. Detta är en mycket tillförlitlig produkt av fordonskvalitet som är kvalificerad enligt AEC-Q101.

Drivkrets med ultralåg spänning

Blyfri plätering

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.