ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 200 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, RYC002N05

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

153,20 kr

(exkl. moms)

191,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 24 augusti 2026
  • Sista 1 000 enhet(er) levereras från den 31 augusti 2026

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4001,532 kr153,20 kr
500 - 9001,378 kr137,80 kr
1000 - 49001,254 kr125,40 kr
5000 - 99001,081 kr108,10 kr
10000 +1,049 kr104,90 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
133-2856
Tillv. art.nr:
RYC002N05T316
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

200mA

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Kapseltyp

SOT-23

Serie

RYC002N05

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

9Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

350mW

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

26nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.