STMicroelectronics Enkel N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 2 Ben, B-2, RF2L
- RS-artikelnummer:
- 230-0086
- Tillv. art.nr:
- RF2L36075CF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 230-0086
- Tillv. art.nr:
- RF2L36075CF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Arbetsfrekvens | 3.5GHz | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | RF2L | |
| Kapseltyp | B-2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 2 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Höjd | 3.61mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 19.44mm | |
| Längd | 20.57mm | |
| Typisk effektförstärkning | 12.5dB | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Arbetsfrekvens 3.5GHz | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie RF2L | ||
Kapseltyp B-2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 2 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Höjd 3.61mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 19.44mm | ||
Längd 20.57mm | ||
Typisk effektförstärkning 12.5dB | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics RF2L36075CF2 är en 75 W internt matchad LDMOS-transistor som är utformad för multibärande WCDMA/PCS/DCS/LTE-basstationer och S-bandradartillämpningar i frekvensområdet från 3,1 till 3,6 GHz. Den kan användas i klass AB, B eller C för alla typiska modulationsformat för mobilbasstationer.
Hög effektivitet och linjär förstärkning
Integrerat ESD-skydd
Intern ingångsmatchning för enkel användning
Stort positivt och negativt gate-källspänningsområde för förbättrad klass C-drift
Utmärkt termisk stabilitet, låg HCI-drift
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 2 Ben, B-2, RF2L
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET 65 V Förbättring, 4 Ben, B4E, RF2L
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 397 A 60 V Förbättring, 2 Ben, H2PAK-2, STH
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET 90 V Förbättring, 5 Ben, LBB, RF3L
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 2 Ben, TO-252, STP
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 125 V Förbättring, 4 Ben, M174, SD2931
- STMicroelectronics Enkel Typ N Kanal, MOSFET, 5 A 40 V Förbättring, 10 Ben, PowerSO, LdmoST
