STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, MDmesh K5, SuperMESH5
- RS-artikelnummer:
- 168-7111
- Tillv. art.nr:
- STL4N80K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 168-7111
- Tillv. art.nr:
- STL4N80K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Kanaltyp | N | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 2.5 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 800 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 8 | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 1.5 V | |
| Höjd | 950 μm | |
| Längd | 6.35 mm | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 2.5 Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 38 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 10.5 nC | |
| Bredd | 5.4 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Antal element per chip 1 | ||
Kanaltyp N | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 2.5 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 800 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 8 | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 1.5 V | ||
Höjd 950 μm | ||
Längd 6.35 mm | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 2.5 Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 38 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 10.5 nC | ||
Bredd 5.4 mm | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 14 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 19.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
