STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

113 840,00 kr

(exkl. moms)

142 300,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +113,84 kr113 840,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
201-4415
Tillv. art.nr:
SCT20N120H
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

H2PAK-2

Serie

SiC MOSFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

203mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

150W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

45nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

10.4mm

Längd

15.8mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET tillverkas med hjälp av de avancerade, innovativa egenskaperna hos breda bandgap-material. SiC-materialet har enastående termiska egenskaper.

Mycket snäva variationer av på-motstånd vs. temperatur

Mycket hög kopplingstemperaturkapacitet

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Låg kapacitans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.