STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- RS-artikelnummer:
- 201-4415
- Tillv. art.nr:
- SCT20N120H
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
117 405,00 kr
(exkl. moms)
146 756,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 08 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 117,405 kr | 117 405,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 201-4415
- Tillv. art.nr:
- SCT20N120H
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Kapseltyp | H2PAK-2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 203mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 15.8mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Kapseltyp H2PAK-2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 203mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 15.8mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. The SiC material has outstanding thermal properties.
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating junction temperature capability
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK, SCTH40N
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 1.5 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT025H120G3AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, H2PAK-7, SCT AEC-Q101