STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK-2, STH200

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

48,83 kr

(exkl. moms)

61,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 880 enhet(er) levereras från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 948,83 kr
10 - 9947,60 kr
100 - 24946,59 kr
250 - 49945,81 kr
500 +44,91 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
234-8896
Tillv. art.nr:
STH200N10WF7-2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

H2PAK-2

Serie

STH200

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

93nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

340W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics N-channel power MOSFET utilizes the STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure boosting linear mode withstanding capability and providing a wider SOA combined with a very low on-state resistance. The resulting MOSFET ensures the best trade-off between linear mode and switching operations.

Best-in-class SOA capability

High current surge capability

Extremely low on-resistance

Relaterade länkar