Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 229-1798
Tillv. art.nr:: IAUC28N08S5L230ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

16 395,00 kr

(exkl. moms)

20 495,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 01 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	3,279 kr	16 395,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 229-1798
Tillv. art.nr:: IAUC28N08S5L230ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	28A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	SuperSO
	Serie	IAUC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	23mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	38W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 28A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp SuperSO
	Serie IAUC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 38W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC28N08S5L230ATMA1

Infineon IAUC-serien MOSFET, 80 V maximal drain-källspänning, 28 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUC28N08S5L230ATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är byggd för tillämpningar som kräver robust grindtolerans och betydande strömhantering, förpackad i ett 8-stifts SuperSO-format för kompakt integrering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:

• Klassificering 80 V möjliggör högspänningsomkoppling i strömkretsar
• 23 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 28 A stöder drift med hög belastning
• 38 W effektförlust möjliggör kontinuerlig strömförsörjning
• Gränstolerans på ±20 V skyddar mot överdriven drivspänning
• 1,2 V framspänning minimerar ledningsförmågan hos kroppsdioden

Användningsområden

• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för motordrivningsstegen i fordon
• Används för omkoppling av DC-DC-omvandlarutgång
• Kan användas för batterihanteringssystem
• Användbar i elektronik för högtemperaturmotorutrymmen

I vilka extrema temperaturer kan den fungera?

Den är specifik för att fungera från -55 °C upp till +175 °C, vilket säkerställer drift i typiska och förhöjda fordonsmiljöer.

Vilken monteringsstil krävs för kortsamling?

Den levereras i ett SuperSO-paket avsett för ytmontering på kretskort som kräver kompakta högeffektskomponenter.

Hur uppför sig kanalen under normal förspänning?

Enheten är en N-kanal MOSFET med förstärkningsläge som kräver en positiv gate-to-source-enhet för att slå på och leda.

Vilket antal stift bör beaktas under layouten?

Kapseln har åtta stift, som bör rymmas i kretskortets fotavtryck för korrekt lödning och termisk prestanda.