Infineon N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 229-1799
- Tillv. art.nr:
- IAUC28N08S5L230ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
126,90 kr
(exkl. moms)
158,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 8,46 kr | 126,90 kr |
| 75 - 135 | 8,034 kr | 120,51 kr |
| 150 - 360 | 7,87 kr | 118,05 kr |
| 375 - 735 | 7,355 kr | 110,33 kr |
| 750 + | 6,862 kr | 102,93 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 229-1799
- Tillv. art.nr:
- IAUC28N08S5L230ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 28A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | IAUC | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 23mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 28A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie IAUC | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 23mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUC-serien MOSFET, 80 V maximal drain-källspänning, 28 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUC28N08S5L230ATMA1
Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för strömomkoppling i krävande miljöer. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är byggd för tillämpningar som kräver robust grindtolerans och betydande strömhantering, förpackad i ett 8-stifts SuperSO-format för kompakt integrering på kortnivå.
Funktioner och fördelar:
• Klassificering 80 V möjliggör högspänningsomkoppling i strömkretsar
• 23 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 28 A stöder drift med hög belastning
• 38 W effektförlust möjliggör kontinuerlig strömförsörjning
• Gränstolerans på ±20 V skyddar mot överdriven drivspänning
• 1,2 V framspänning minimerar ledningsförmågan hos kroppsdioden
• 23 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• Kontinuerlig dräneringsström på 28 A stöder drift med hög belastning
• 38 W effektförlust möjliggör kontinuerlig strömförsörjning
• Gränstolerans på ±20 V skyddar mot överdriven drivspänning
• 1,2 V framspänning minimerar ledningsförmågan hos kroppsdioden
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmfördelningsmoduler
• Idealisk för motordrivningsstegen i fordon
• Används för omkoppling av DC-DC-omvandlarutgång
• Kan användas för batterihanteringssystem
• Användbar i elektronik för högtemperaturmotorutrymmen
• Idealisk för motordrivningsstegen i fordon
• Används för omkoppling av DC-DC-omvandlarutgång
• Kan användas för batterihanteringssystem
• Användbar i elektronik för högtemperaturmotorutrymmen
I vilka extrema temperaturer kan den fungera?
Den är specifik för att fungera från -55 °C upp till +175 °C, vilket säkerställer drift i typiska och förhöjda fordonsmiljöer.
Vilken monteringsstil krävs för kortsamling?
Den levereras i ett SuperSO-paket avsett för ytmontering på kretskort som kräver kompakta högeffektskomponenter.
Hur uppför sig kanalen under normal förspänning?
Enheten är en N-kanal MOSFET med förstärkningsläge som kräver en positiv gate-to-source-enhet för att slå på och leda.
Vilket antal stift bör beaktas under layouten?
Kapseln har åtta stift, som bör rymmas i kretskortets fotavtryck för korrekt lödning och termisk prestanda.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 80 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101