STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-3031
- Tillv. art.nr:
- STL105N8F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
151,60 kr
(exkl. moms)
189,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,16 kr | 151,60 kr |
| 100 - 490 | 12,21 kr | 122,10 kr |
| 500 - 990 | 12,061 kr | 120,61 kr |
| 1000 - 2990 | 11,916 kr | 119,16 kr |
| 3000 + | 11,774 kr | 117,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-3031
- Tillv. art.nr:
- STL105N8F7AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 95A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 127W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 95A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 127W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics N-kanalig effekt-MOSFET använder STripFET F7-teknik med en förbättrad trenchgrindstruktur som resulterar i mycket låg påslagningsresistans, samtidigt som den minskar intern kapacitans och grindladdning för snabbare och mer effektiv omkoppling.
Bland de lägsta RDS(on) på marknaden
Utmärkt FoM (förtjänstvärde)
Lågt Crss/Ciss-förhållande för EMI-immunitet
Hög motståndskraft mot laviner
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 420 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL059N AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 125 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL125N10F8AG AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL1 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, MOSFET, 220 A 80 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerFLAT