STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 188-8491
- Tillv. art.nr:
- STL40DN3LLH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
118,50 kr
(exkl. moms)
148,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,85 kr | 118,50 kr |
| 100 - 490 | 7,907 kr | 79,07 kr |
| 500 - 990 | 6,474 kr | 64,74 kr |
| 1000 - 2990 | 6,395 kr | 63,95 kr |
| 3000 + | 6,317 kr | 63,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8491
- Tillv. art.nr:
- STL40DN3LLH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 25mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Längd | 6.2mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 25mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.1mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Längd 6.2mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Denna enhet är en N-kanalig effekt-MOSFET som utvecklats med STMicroelectronics STripFETTM H5-teknik. Enheten har optimerats för att uppnå mycket låg påslagningsresistans, vilket bidrar till en FoM som är bland de bästa i sin klass.
Låg på-resistans
Hög motståndskraft mot laviner
Låg effektförlust för grinddrivning
Vätbart flankhölje
Användningsområden
Omkopplingstillämpningar
Relaterade länkar
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET