Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2971
- Tillv. art.nr:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
9 774,00 kr
(exkl. moms)
12 216,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 09 februari 2027
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,258 kr | 9 774,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2971
- Tillv. art.nr:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8W | |
| Serie | SQSA70CENW | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 68.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8W | ||
Serie SQSA70CENW | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 68.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 3.3mm | ||
Höjd 3.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay SQSA70CENW-serien MOSFET, 150 V maximal drain-källspänning, 18 A maximal kontinuerlig drain-ström - SQSA70CENW-T1_GE3
Funktioner och fördelar:
Användningsområden
Vilken monteringsmetod krävs för integrering?
Vilka gränsspänningsgränser bör observeras under drivkonstruktionen?
Hur påverkar termisk kapacitet kylkraven?
Vilket omgivningstemperaturområde kan den tolerera?
Vilken egenskap bidrar till att minska omkopplingsförluster?
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS840CENW AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
