Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 268-8375
- Tillv. art.nr:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
168,45 kr
(exkl. moms)
210,55 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 050 enhet(er) från den 01 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 6,738 kr | 168,45 kr |
| 50 - 75 | 6,604 kr | 165,10 kr |
| 100 - 225 | 5,031 kr | 125,78 kr |
| 250 - 975 | 4,928 kr | 123,20 kr |
| 1000 + | 3,055 kr | 76,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 268-8375
- Tillv. art.nr:
- SQSA82CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 16A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8W | |
| Serie | SQS | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.073Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 27W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 16A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8W | ||
Serie SQS | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.073Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal effektförlust Pd 27W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishays bil-N-kanal TrenchFET-effekt-MOSFET är bly-Pb- och halogenfri enhet. Det är en MOSFET-enhet med enkel konfiguration och ytmonterad enhet.
AEC Q101-kvalificerade
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 44 A 80 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 192 A 30 V Förbättring, 8 Ben, 1212-8SLW, SQS AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101