Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2972
- Tillv. art.nr:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
110,77 kr
(exkl. moms)
138,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,077 kr | 110,77 kr |
| 100 - 240 | 10,506 kr | 105,06 kr |
| 250 - 490 | 8,322 kr | 83,22 kr |
| 500 - 990 | 7,75 kr | 77,50 kr |
| 1000 + | 6,653 kr | 66,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2972
- Tillv. art.nr:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | SQSA70CENW | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8W | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 68.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.85V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.3mm | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie SQSA70CENW | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8W | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 68.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.85V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.3mm | ||
Bredd 3.3mm | ||
Höjd 3.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay SQSA70CENW-serien MOSFET, 150 V maximal drain-källspänning, 18 A maximal kontinuerlig drain-ström - SQSA70CENW-T1_GE3
Denna MOSFET är en högspännings, N-kanalig strömförsörjningsenhet som är utformad för kretskortsmontering i krävande fordons- och industriella styrmiljöer. Den stöder omkopplings- och belastningsstyrningsroller där ökad dräneringskällspänningskapacitet och blygsam grindladdning krävs, och är konstruerad för att uppfylla förväntningar på fordonsbelastning och ytmonteringsbehov.
Funktioner och fördelar:
• 150 V drain-source-klassning möjliggör högspänningskopplingskapacitet • Kontinuerlig dräneringsström på 18 A stöder betydande belastningshantering • 68,5 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift • 8 nC typisk grindladdning minskar krav på omkopplingsenergi och drivning • 62,5 W effektförlust möjliggör betydande termisk belastning • Maximal drifttemperatur på 175 °C möjliggör förhöjd omgivningsanvändning
Användningsområden
• Lämpligt för fordonsströmfördelningsmoduler som kräver AEC‐Q101-kvalificering • Idealisk för DC-DC-omvandlare i industriella automationssystem • Används för omkoppling av motorstyrning i kompakta elektroniska enheter • Kan användas för batterihantering och styrkretsar för strömvägar
Vilken monteringsmetod krävs för integrering?
Den levereras för kretskortsmontering som ett ytmonterat PowerPAK 1212-8W-paket för att underlätta kompakta kortlayouter och automatiserad placering.
Vilka gränsspänningsgränser bör observeras under drivkonstruktionen?
Enheten får inte utsättas för gate-källspänningar över 20 V för att undvika överbelastning av gate-dielektrin.
Hur påverkar termisk kapacitet kylkraven?
Med maximal effektförlust på 62,5 W och ett förhöjt drifttak på 175 °C bör kort- och kylelementstrategier anpassas för att hålla kopplingstemperaturer inom säkra gränser för kontinuerlig drift.
Vilket omgivningstemperaturområde kan den tolerera?
Den fungerar över ett brett intervall från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i både kalla start- och höga värmescenarier.
Vilken egenskap bidrar till att minska omkopplingsförluster?
Kombinationen av en 8 nC grindladdning och låg påslagningsresistans bidrar till lägre omkopplings- och ledningsförluster i högfrekvenstillämpningar.
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS840CENW AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101