Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2972
- Tillv. art.nr:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
110,77 kr
(exkl. moms)
138,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,077 kr | 110,77 kr |
| 100 - 240 | 10,506 kr | 105,06 kr |
| 250 - 490 | 8,322 kr | 83,22 kr |
| 500 - 990 | 7,75 kr | 77,50 kr |
| 1000 + | 6,653 kr | 66,53 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2972
- Tillv. art.nr:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | SQSA70CENW | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212-8W | |
| Typ av fäste | Kretskort | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 68.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 850mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie SQSA70CENW | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212-8W | ||
Typ av fäste Kretskort | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 68.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 850mV | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 3.3mm | ||
Bredd 3.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET från Vishay SQSA70CENW-serien, 150 V drain-källspänning, 18 A kontinuerlig drain-ström – SQSA70CENW-T1_GE3
Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för högspännings- och högströmstillämpningar i kretskortsmonterade system. Den fungerar som en N-kanalförstärkningsenhet som är lämplig för omkopplings- och strömhanteringsroller över ett brett temperaturområde, och presenteras i ett kompakt SMD-paket för trånga kortlayouter.
Funktioner och fördelar:
• 150 V dräneringskapacitet möjliggör högspänningsswitchning
• 18A kontinuerlig dräneringsström stöder tunga laster
• 68.5 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster
• 8 nC typisk grindladdning möjliggör snabba växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 62.5 W hanterar värmestress
• 20 V gate-source-tolerans möjliggör breda drivmarginaler
• 18A kontinuerlig dräneringsström stöder tunga laster
• 68.5 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster
• 8 nC typisk grindladdning möjliggör snabba växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 62.5 W hanterar värmestress
• 20 V gate-source-tolerans möjliggör breda drivmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmomvandlingsmoduler
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i industriell utrustning
• Används med motordrivkretsar som kräver hög strömhantering
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Lämplig för batterihantering och laddningskretsar
• Idealisk för DC/DC-omvandlare i industriell utrustning
• Används med motordrivkretsar som kräver hög strömhantering
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Lämplig för batterihantering och laddningskretsar
I vilket temperaturområde kan den fungera tillförlitligt?
Den fungerar i ett brett intervall från -55 °C upp till 175 °C, vilket gör den lämplig för miljöer med förhöjda temperaturer.
Vilken kapslingstyp och monteringsmetod används?
Enheten levereras i ett PowerPAK 1212-8W SMD-paket utformat för kretskortsmontering för att underlätta kompakt montering.
Hur påverkar grindladdningen omkopplingsprestanda?
En typisk grindladdning på 8 nC minskar grinddrivenergin och bidrar till snabbare påslagning och avstängning i switchtopologier.
Är den lämplig för användning i fordonsindustrin?
Den uppfyller AEC-Q101-kraven för användning i elektroniska fordonssystem där komponentkvalificering krävs.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS840CENW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQS484CENW AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101