Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2969
- Tillv. art.nr:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 228-2969
- Tillv. art.nr:
- SQSA12CENW-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 62.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal effektförlust Pd 62.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET fordons-N-kanal är en 100 V effekt-MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 58 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 18 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8W, SQSA70CENW AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 47 A 30 V MOSFET, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SLW, TrenchFET AEC-Q101